Компании IBM и TDK разрабатывают новый тип компьютерной памяти STT-RAM (Spin Torque Transfer Random Access Memory). Новый тип оперативной памяти базируется на принципиально новом принципе работы и может заменить широко распространенную в настоящее время флэш-память.
До последнего времени IBM проводила исследования в сфере разработки памяти MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), совмещающей достоинства динамической и флэш-памяти. Микросхемы MRAM отличаются высокой скоростью доступа к данным и вместе с тем являются энергонезависимыми. Кроме того, в отличие от флэш-памяти, характеристики чипов MRAM не ухудшаются во время эксплуатации.
Между тем, сайт News.com со ссылкой на представителей IBM сообщил, что технология MRAM довольно плохо масштабируется в рамках перспективных технологических процессов, поэтому IBM решила вести дальнейшие разработки в сфере STT-RAM, которая снимает подобные ограничения. Название памяти STT-RAM содержит сокращение фразы Spin Torque Transfer - "передача спинового вращательного момента". Вращательные моменты электронов упорядочиваются определённым образом, что позволяет изменять направление магнитного поля частиц, из которых состоит память типа STT-RAM. Смена направления магнитного поля приводит к изменению сопротивления элемента, что приравнивается к переходу из состояния "0" в состояние "1".
IBM собирается разрабатывать эту технологию совместно с TDK, первые прототипы должны быть выпущены по 65 нм техпроцессу в ближайшие четыре года. Надо сказать, что технологию STT-RAM также разрабатывает и калифорнийская компания Grandis, которая уже готова поставлять опытные образцы в этом году. По сравнению с технологией MRAM, данное ноу-хау позволяет не только добиться повышения плотности записи информации, но и снизить уровень энергопотребления.
Память типа STT-RAM может получить применение в будущих разработках IBM и её партнёров, одним из которых является и AMD. В любом случае, технология создания памяти типа STT-RAM пока находится на ранней стадии зрелости, поэтому говорить о близости момента её воплощения в жизнь силами IBM пока рано.
Предполагается, что основным конкурентом чипов STT-RAM станет память с изменяемым фазовым состоянием (PRAM). Если сравнивать PRAM и STT-RAM, последняя обладает более высоким быстродействием, но первая отличается более высокой плотностью. Кроме того, STT-RAM должна обладать более высокой долговечностью по сравнению с PRAM.
Напомним, IBM – один из активных участников разработки MRAM и пионер фундаментальных исследований в области магнитных туннельных переходов (MTJ), связанных с изучением упомянутого эффекта, который используется в памяти MRAM. В свою очередь, TDK имеет богатый практический опыт в применении технологии MTJ в записывающих головках накопителей на жестких магнитных дисках. Обе компании обладают большим количеством наработок и патентов в области технологий и материалов для магнитной записи.
Работы в рамках проекта планируется вести в трех исследовательских центрах, принадлежащих IBM и одном - TDK.
Магниторезистивная память привлекает внимание ученых по всему миру – весной этого появилось сообщение о том, что ученые из института физики китайской академии наук создали новую память MRAM, используя свой, оригинальный подход.
Смотрите также:
Процессор на 64 вычислительных ядрах (опубликовано 22.08.2007) Память с фазовым переходом (PRAM). (опубликовано 17.08.2007) Модернизированный смартфон Ultra Messaging i600 (опубликовано 15.08.2007) Apple представила новый iMac (опубликовано 09.08.2007) Nokia выпустила два новых сотовых телефона (опубликовано 08.08.2007) |
 |
© Новости2.com. При цитировании ссылка на сайт обязательна.
