Память с произвольным доступом, построенная на переходе вещества из одного фазового состояния в другое (Phase-change Random Access Memory, PRAM) имеет потенциал стать альтернативой оперативной памяти (DRAM) и флэш-памяти. По сравнению с предшественницами, PRAM будет иметь более высокую скорость, более высокую плотность записи, более высокую долговечность и более низкую себестоимость.
Если современная флэш-память использует электрический заряд для хранения единицы информации, то память с фазовым переходом по принципу работы больше похожа на перезаписываемые оптические диски CD или DVD. Халькогенидный сплав (стеклообразный полупроводник) изменяет своё фазовое состояние под нагревом при помощи лазера: в кристаллической фазе он является проводником, в аморфной фазе он не проводит электрический ток.
Основы PRAM были заложены в шестидесятые годы прошлого века Стэнфордом Овшинским. Талантливый самоучка, инженер и изобретатель, он стал первым исследователем аморфных полупроводников. Гордон Мур, один из основателей Intel, написал статью о перспективах технологии, которая в сентябре 1970 года была опубликована в журнале Electronics. На пути к практическому использованию технологии было немало препятствий, но, похоже, все они уже преодолены.
Чтобы понять, насколько привлекательно выглядит PRAM на фоне современных технологий, достаточно сказать, что по быстродействию она примерно в 100000 раз превосходит флэш-память. Скорость записи составляет примерно 10 нс. Что касается надежности, флэш-память, как известно, расходует свой ресурс при каждой операции записи. Большинство чипов выдерживает 10000–100000 операций. У PRAM это значение составляет 100000000.
Среди минусов новой памяти называют невозможность программирования памяти до распайки на плату – высокая температура, сопровождающая процесс пайки, стирает информацию в памяти. Кроме того, для записи данных в PRAM необходимо более высокое напряжение, чем в случае флэш-памяти. Тем не менее, имеющиеся образцы памяти с фазовым переходом позволяют считать, что её использование в будущем оправдано с экономической точки зрения. В качестве конкурирующей технологии рассматривается магнитно-резистивная память MRAM, но пока соответствующие образцы имеют довольно низкую плотность хранения информации.
Компания Samsung отчиталась об успехах в создании памяти с фазовым переходом почти год назад и намерена начать производство соответствующих продуктов в 2008 году. Компании Intel и STMicroelectronics готовятся выпустить первые продукты PRAM уже в этом году. Производством новой памяти займется Numonyx – совместное предприятие Intel и ST Microelectronics, создание которого недавно одобрила Еврокомиссия. Возможной областью применения PRAM, указанной Intel, являются твердотельные накопители (solid state disk, SSD), которые имеют достаточное быстродействие, чтобы предохранить «системы на базе многоядерных процессоров от удушливых ограничений ввода-вывода».
Смотрите также:
Процессор на 64 вычислительных ядрах (опубликовано 22.08.2007) IBM и TDK разрабатывают новый тип компьютерной памяти (опубликовано 21.08.2007) Модернизированный смартфон Ultra Messaging i600 (опубликовано 15.08.2007) Apple представила новый iMac (опубликовано 09.08.2007) Nokia выпустила два новых сотовых телефона (опубликовано 08.08.2007) |
 |
© Новости2.com. При цитировании ссылка на сайт обязательна.
